收藏本站
型号 IPB50N10S3L-16
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
IPB50N10S3L-16 PDF
代理商 IPB50N10S3L-16
标准包装 1
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 50A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 15.4 毫欧 @ 50A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.4V @ 60µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 64nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 4180pF @ 25V
功率 - 最大 100W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 PG-TO263-3
包装 标准包装
产品目录页面 1617 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 IPB50N10S3L-16INDKR
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
IPB50N10S3L-16 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
IPB50N10S3L-16 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
IPB50R140CP Infineon Technologies MOSFET N-CH 550V 23A TO-263
IPB50R199CP Infineon Technologies MOSFET N-CH 550V 17A TO-263
IPB50R250CP Infineon Technologies MOSFET N-CH 550V 13A TO-263
IPB50R299CP Infineon Technologies MOSFET N-CH 550V 12A TO-263
IPB530N15N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3
IPB530N15N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3
IPB530N15N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3
IPB600N25N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3
IPB600N25N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3
IPB600N25N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3
IPB60R099C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263
IPB60R099C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263
IPB60R099C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263
IPB60R099CP Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK
IPB60R099CP Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK
IPB60R099CP Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK
IPB60R099CPA Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
IPB60R125C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 30A TO263